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申请/专利权人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院

摘要：本发明提供一种Ir‑Hf合金薄膜，该薄膜中Hf原子占比为10％至50％，制备方法包括如下步骤：基片超声清洗、吹干并固定在基片台上；将高纯金属靶材Ir和Hf放置在两个靶位，并调节靶材相对于垂直于基片台的中心线的角度和靶材与基片台之间的垂直距离；将沉积室抽真空然后通入高纯Ar气，调节工作气压，设置靶材的溅射功率，对靶材进行预溅射；然后让基片台旋转并打开基片挡板进行正式溅射，得到Ir‑Hf合金薄膜。本发明采用多靶直流磁控溅射得到的Ir‑Hf合金薄膜成分可控且均匀、硬度好、表面粗糙度小、耐腐蚀性能好且抗氧化性强。

主权项：1.一种Ir-Hf合金薄膜，其特征在于，所述Ir-Hf合金薄膜由非等原子比或等原子比组成；该合金薄膜中Ir-Hf合金的化学表达式为Ir-aHf，其中，a表示Hf所占原子百分比中去掉百分号的部分，且a取值为10-50；该Ir-Hf合金薄膜的制备方法，包括如下步骤：1将基片放在无水乙醇中进行超声清洗10分钟，去除基片表面附着的污染物，将其超声清洗后用去离子水将基片冲洗干净；2将清洗好的基片用压缩氮气吹干，使其表面干净无水渍；3将基片的溅射面向上固定在基片盘上，将基片盘固定在高真空磁控溅射镀膜设备沉积室的基片台上，将旋转基片挡板调整至完全遮盖基片的位置；4分别将Ir和Hf纯金属块体靶材防止在沉积室的2个不同的直流靶位上，调节靶材相对于垂直于基片台的中心线的角度和靶材与基片台之间的垂直距离；5先采用机械泵将沉积室抽真空至小于5.0Pa，然后再采用分子泵将沉积室抽真空至小于1.0×10-2Pa；6在沉积室通入Ar气，调整工作气压为0.7～0.8Pa，打开相应靶材的直流恒流电源，设置靶材溅射功率，对靶材进行预溅射10～15min以去除靶材表面杂质；其中，Ir靶材的溅射功率为150W，Hf靶材的溅射功率为50～250W；7设置基片台旋转速率为10～30rmin，打开基片挡板后再基片的溅射面上进行薄膜溅射，溅射时间为30～60min，得到薄膜；8溅射完成后，关闭直流恒流电源，关闭Ar气源，关闭基片旋转，使薄膜在真空状态下冷却至室温后取出，在基片上得到该Ir-Hf合金薄膜。

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