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申请/专利权人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种Ta‑Hf‑C陶瓷材料及其制备方法和应用。Ta‑Hf‑C陶瓷材料的化学式为TaaHfbCc；其中，3≤a≤4.5，0.5≤b≤2且a+b+c=10。Ta‑Hf‑C陶瓷材料采用多靶直流磁控溅射制备得到。本发明提供的一种Ta‑Hf‑C陶瓷材料薄膜表面粗糙度为1.03~1.35nm，薄膜的硬度为21.34~25.23GPa，弹性模量为270.1~286.6GPa，具有更加广泛的应用前景，可以应用于极端服役条件。本发明Ta‑Hf‑C陶瓷材料采用多靶直流磁控溅射的方式制备，得到的Ta‑Hf‑C陶瓷材料成分可控且均匀。
主权项：1.一种Ta-Hf-C陶瓷材料，其特征在于，化学式为TaaHfbCc；其中，3≤a≤4.5，0.5≤b≤2且a+b+c=10。
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权利要求：
百度查询： 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 一种Ta-Hf-C陶瓷材料及其制备方法和应用
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