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用于破坏存储在存储器中的数据的方法以及相应的集成电路 

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申请/专利权人:意法半导体国际公司

摘要:本公开涉及用于破坏存储在存储器中的数据的方法以及相应的集成电路。一种集成电路包括被配置为存储数据段的存储器单元。所述存储器单元包括状态晶体管,所述状态晶体管具有控制栅极和被配置为存储表示所述数据段的电荷的浮置栅极。电容性结构包括耦合到浮置栅极的第一导电体部、第二导电体部以及第一和第二导电体部之间的电介质体。生成电路被配置为检测侵入式或非侵入式攻击,并且响应于此生成施加到第二导电体部的电压,以通过电介质体在第一和第二导电体部之间生成漏电流。将漏电流施加到浮置栅极以修改浮置栅极处的电荷并且破坏所存储的数据。

主权项:1.一种用于破坏存储在集成电路的一个存储器单元中的数据段的方法,所述存储器单元包括状态晶体管,所述状态晶体管具有控制栅极和存储表示所述数据段的电荷的浮置栅极,所述方法包括:将电容性结构耦合到所述浮置栅极,所述电容性结构包括耦合到所述浮置栅极的第一导电体部、第二导电体部和所述两个导电体部之间的电介质体;使用检测电路检测所述集成电路的侵入式或非侵入式攻击;响应于所述检测而生成被施加到所述第二导电体部的非零电压;响应于施加到所述第二导电体部的所述非零电压,由所述电容性结构生成在所述第二导电体部与所述第一导电体部之间通过所述电介质体的漏电流;以及将所述漏电流施加到所述浮置栅极以修改所述浮置栅极的所述电荷并且破坏所述数据段。

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权利要求:

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