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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请提供一种压降仿真方法、装置、电子设备及介质，包括：针对芯片的每个晶体管，根据晶体管的器件参数，计算获得晶体管的第一功率电流；基于第一功率电流生成晶体管的等效模型；以及，根据芯片的网表和晶体管的等效模型，建立芯片的第一等效模型；生成芯片的电源走线的寄生模型，将电源走线的寄生模型合并至芯片的第一等效模型，得到芯片的第二等效模型；以及，通过对芯片的第二等效模型进行仿真，得到每个晶体管的第二功率电流；根据芯片的每个晶体管的第一功率电流和第二功率电流，得到芯片的压降仿真结果。本方案能够快速实现压降仿真。
主权项：1.一种压降仿真方法，其特征在于，包括：针对芯片的每个晶体管，根据所述晶体管的器件参数，计算获得所述晶体管的第一功率电流；基于所述第一功率电流生成所述晶体管的等效模型；以及，根据所述芯片的网表和所述晶体管的等效模型，建立所述芯片的第一等效模型；生成所述芯片的电源走线的寄生模型，将所述电源走线的寄生模型合并至所述芯片的第一等效模型，得到所述芯片的第二等效模型；以及，通过对所述芯片的第二等效模型进行仿真，得到每个晶体管的第二功率电流；根据所述芯片的每个晶体管的第一功率电流和第二功率电流，得到所述芯片的压降仿真结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 压降仿真方法、装置、电子设备及介质
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