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申请/专利权人：北京智芯半导体科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

摘要：本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器，包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss，所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压，由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流，因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响，具有较好的精度。

主权项：1.用于全桥整流器中的比较器，其特征在于，所述比较器包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述偏置电流电路包括电阻R1、PMOS管Mp1、PMOS管Mp4和恒流源Iref；所述共栅极比较电路包括PMOS管Mp2、PMOS管Mp3、PMOS管Mp5、PMOS管Mp6、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、恒流源I1、和反相器INV1；所述共栅极比较电路还包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述比较器的输出端连接的NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，PMOS管Mp1的源极、PMOS管Mp2的源极、PMOS管Mp3的源极、恒流源I1的一端连接电源电压VDD；电阻R1的一端、PMOS管Mp1的栅极、PMOS管Mp2的栅极、PMOS管Mp3的栅极、PMOS管Mp4的漏极共接，电阻R1的另一端连接PMOS管Mp4的栅极、PMOS管Mp5的栅极、PMOS管Mp6的栅极、恒流源Iref的一端；恒流源Iref的另一端、NMOS管MN4的源极接地；NMOS管MN4的漏极连接恒流源I1的另一端、反相器INV1的输入端；反相器INV1的输出端作为所述比较器的第一输出端；PMOS管Mp1的漏极连接PMOS管Mp4的源极；PMOS管Mp2的漏极连接PMOS管Mp5的源极；PMOS管Mp3的漏极连接PMOS管Mp6的源极；PMOS管Mp5的漏极、NMOS管MN2的漏极、NMOS管MN2的栅极、NMOS管MN3的栅极共接；PMOS管Mp6的漏极、NMOS管MN3的漏极、NMOS管MN4的栅极共接；NMOS管MN2的源极接地电平pvss；NMOS管MN3的源极连接NMOS管MN1的漏极，NMOS管MN1的栅极接驱动电源pvdd；所述NMOS管MN1的源极接所述全桥整流器的输入电压Vinp。

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