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申请/专利权人：上海唯捷创芯电子技术有限公司
摘要：本发明公开了一种具有高耐受功率的射频开关电路、芯片及其电子设备。该射频开关电路由多级开关晶体管单元串联组成；在每级开关晶体管单元中，第一晶体管的体极与第二晶体管的源极、体极连接在一起；第一晶体管的漏极与前一级开关晶体管单元的输出端连接；第一晶体管的源极一方面与第二晶体管的栅极连接，另一方面与后一级开关晶体管单元中的第一晶体管的漏极连接；通路电阻设置在第一晶体管的漏极与源极之间。本发明所提供的射频开关电路，改善了电压摆幅在各级开关晶体管层叠链中分布不均匀的现象，从而使得射频开关电路的非线性问题得到改善，插入损耗减小，平均耐受功率得到明显提高。
主权项：1.一种具有高耐受功率的射频开关电路，其特征在于由多级开关晶体管单元串联组成；每级开关晶体管单元均包括第一晶体管、第二晶体管，以及第一偏置电阻、第二偏置电阻、通路电阻；其中，所述第一晶体管的体极与所述第二晶体管的源极、体极连接在一起；所述第一晶体管的漏极与前一级开关晶体管单元的输出端连接；所述第一晶体管的源极一方面与所述第二晶体管的栅极连接，另一方面与后一级开关晶体管单元中的第一晶体管的漏极连接；所述通路电阻设置在所述第一晶体管的漏极与源极之间；各级开关晶体管单元中的第一偏置电阻依次串联，组成第一通路；各级开关晶体管单元中的第二偏置电阻依次串联，组成第二通路；所述第一通路的末端与所述第二通路的末端连接栅极偏置电压；所述第一晶体管的栅极接入所述第二通路，所述第二晶体管的漏极接入所述第一通路。
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权利要求：
百度查询： 上海唯捷创芯电子技术有限公司 一种具有高耐受功率的射频开关电路、芯片及其电子设备
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