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申请/专利权人:济南晶恒电子有限责任公司
摘要:本发明属于光阻GPP芯片技术领域,提供了一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件。其中,该芯片包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜,所述低温氧化膜上设有氧化铝膜,所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。其在传统光阻GPP芯片钝化层设计的基础上,在玻璃表面增加Al2O3膜,在Sipos膜表面增加氮化硅膜,有这两层钝化层的保护,可完全避免可动离子移动到硅表面,加上Sipos膜对可动离子电场的中和作用,可确保产品高温反偏通过150℃80%反压1000小时的考核。
主权项:1.一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法,其特征在于,包括:在生长氧化层的扩散片上涂覆光刻胶;在露出待蚀刻的区域上进行一次光刻沟槽,形成具有沟槽的硅片;在具有沟槽的硅片上依次沉积半绝缘掺氧多晶硅膜和氮化硅膜;使用LPCVD沉积半绝缘掺氧多晶硅膜;所述氮化硅膜的厚度为0.2μm-0.4μm;在氮化硅膜上进行二次光刻涂覆玻璃光阻剂,烧结形成玻璃保护层;在玻璃保护层上依次沉积低温氧化膜和氧化铝膜并形成晶片,使用磁控溅射沉积一层氧化铝膜;对晶片的正面进行三次光刻露出焊接区域;所述氧化铝膜的厚度为0.05μm-0.15μm;分别在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀金属;在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀的金属为镍与金;将镀金属后的晶片背面进行划片处理,得到光阻GPP芯片,其中,光阻GPP芯片包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜,所述低温氧化膜上设有氧化铝膜,所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。
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