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申请/专利权人:扬州杰利半导体有限公司
摘要:高可靠性高压GPP芯片。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的下金属层、N+层、N层、P+层和上金属层;所述P+层的边缘设有向下延伸的弧形部一;所述弧形部一的下方设有与之连接,并向下延伸至N层的弧形部二;所述弧形部二的下方设有与之连接并向下延伸的弧形部三;所述P+层的顶面设有向下延伸,并包裹在弧形部一、弧形部二和弧形部三上的玻璃层。本实用新型使N区电场展宽区域受划片机械应力影响变小,提升芯片可靠性能力;三次光刻及两次蚀刻,形成所需的沟槽形态,提高电压及产品的可靠性。
主权项:1.高可靠性高压GPP芯片,其特征在于,包括从下而上依次连接的下金属层、N+层、N层、P+层和上金属层;所述P+层的边缘设有向下延伸的弧形部一;所述弧形部一的下方设有与之连接,并向下延伸至N层的弧形部二;所述弧形部二的下方设有与之连接并向下延伸的弧形部三;所述P+层的顶面设有向下延伸,并包裹在弧形部一、弧形部二和弧形部三上的玻璃层。
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