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申请/专利权人：济南新芯微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管钝化模组和gpp工艺，属于碳化硅肖特基二极管处理技术领域。包括肖特基二极管基体，所述肖特基二极管基体内侧设置有碳化硅晶片，所述碳化硅晶片两端连接有引脚，所述引脚另一端穿出肖特基二极管基体；所述碳化硅晶片的P区上开设有沟槽；所述沟槽内侧设置有网格槽；所述沟槽和网格槽内壁上开设有锚定槽；所述沟槽、网格槽和锚定槽内侧沉积设置有钝化层，本发明的碳化硅肖特基二极管钝化模组和gpp工艺，采用三次进行光刻和腐蚀沟槽交替进行，在碳化硅晶片上形成沟槽，沟槽内侧布设锚定槽；并在沟槽、网格槽和锚定槽内形成钝化层，钝化层能够锚定在碳化硅晶片内侧，钝化层抗剥离能力好。
主权项：1.一种碳化硅肖特基二极管钝化模组，包括肖特基二极管基体，所述肖特基二极管基体内侧设置有碳化硅晶片，所述碳化硅晶片两端连接有引脚，所述引脚另一端穿出肖特基二极管基体；其特征在于：所述碳化硅晶片的P区上开设有沟槽；所述沟槽内侧设置有网格槽；所述沟槽和网格槽内壁上开设有锚定槽；所述沟槽、网格槽和锚定槽内侧沉积设置有钝化层，所述钝化层远离沟槽、网格槽和锚定槽一面为平面结构；所述碳化硅晶片的P区和N区均设置有金属镀层；所述引脚与金属镀层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 济南新芯微电子有限公司 一种碳化硅肖特基二极管钝化模组和gpp工艺
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