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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：在预充电阶段，向所述多个第一存储单元中的已编程存储单元对应的字线输入预充电电压，所述已编程存储单元为所述多个第一存储单元中的待编程存储单元与所述第一虚设单元之间的存储单元；在编程阶段，向所述待编程存储单元对应的字线输入编程电压。本发明实施例能够降低编程干扰，且提高升压电势。
主权项：1.一种用于半导体器件的编程方法，其特征在于，所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元的栅极与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：在编程阶段，向第一未编程存储单元对应的字线施加第一导通电压，所述第一未编程存储单元为所述多个第一存储单元中与待编程存储单元间隔第一预设个数的未编程存储单元；在向所述第一未编程存储单元对应的字线施加第一导通电压之后，向所述待编程存储单元对应的字线施加编程电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于半导体器件的编程方法及半导体器件
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