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申请/专利权人：禾瑞亚科技股份有限公司
摘要：本发明为有关一种防止存储单元数据遗失的方法，该存储单元的晶体管于半导体基底上成型源极、漏极与通道，且通道上成型隧穿氧化层、浮置栅极、隧穿氧化层及控制栅极，而先对浮置栅极进行清除作业，并使用微弱电场，将少许电子注入浮置栅极内部，供浮置栅极内部保持少许电子，并导通源极与漏极间的通道，且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥，避免电子累积在二侧隧穿氧化层内，可正常读取浮置栅极内部数据，利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子，阻止源极与漏极间的通道导通，则可将数据写入浮置栅极内。
主权项：1.一种防止存储单元数据遗失的方法，其特征在于，该存储单元包括具有半导体基底的晶体管，而半导体基底上成型有源极、漏极与位于源极、漏极之间的通道，且于通道上成型有堆叠状的浮置栅极、控制栅极，并于该浮置栅极二侧表面与相对的半导体基底、控制栅极间分别成型有隧穿氧化层，其防止存储单元的电子数据遗失的步骤为：（A）先对浮置栅极进行清除作业；（B）使用低于正常写入的微弱电场，将少许电子注入浮置栅极内部；（C）而于浮置栅极内部保持少许电子，则源极与漏极之间通道导通；（D）且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥，避免电子累积在二侧隧穿氧化层内，以供正常读取浮置栅极内部的数据；以及（E）再利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子，即阻止源极与漏极间的通道导通，则将数据写入浮置栅极内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 禾瑞亚科技股份有限公司 防止存储单元数据遗失的方法
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