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申请/专利权人：苏州矩阵光电有限公司
摘要：本发明公开一种半导体钝化结构的制备方法，包括：S1：形成第一钝化层包裹功能层与第一金属层；S2：对第一钝化层进行去除；S3：在第一钝化层上制备形成第一光刻胶层；S4：在第一金属层上形成第二金属层，并在第二金属层上形成第二缺口，第二缺口位于第一钝化层上方部分区域；S5：形成第二钝化层；S6：部分去除覆盖于第二金属层的上表面的第二钝化层；S7：在第二钝化层上制备形成保护层。本发明有益效果在于：通过设置多层薄膜组成的钝化层，钝化层与金属层边缘相互交叠、降低钝化层残余应力，同时具有极好的致密性、抗湿热性、抗杂质离子进入、高击穿电压、强附着力，使得钝化层对化合物半导体表面态抑制效果更强，器件性能参数表现与稳定性更优。
主权项：1.一种半导体钝化结构的制备方法，其特征在于，在一基底上依次制备形成功能层以及第一金属层，所述第一金属层的中间部分具有一第一缺口以暴露所述功能层，还包括：步骤S1：在所述基底上形成第一钝化层，所述第一钝化层包裹所述功能层与所述第一金属层；步骤S2：对所述第一钝化层进行去除，以保留所述第一缺口内以及突出于所述第一缺口的所述第一钝化层；步骤S3：在所述第一钝化层上制备形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层部分覆盖所述第一钝化层；步骤S4：在所述第一金属层上制备形成第二金属层并包裹所述第一钝化层，随后去除所述第一光刻胶层，以使得所述第二金属层上形成一第二缺口，所述第二缺口位于所述第一钝化层上方部分区域；步骤S5：在所述第一钝化层上制备形成一第二钝化层，并覆盖所述第二金属层的上表面；步骤S6：部分去除覆盖于所述第二金属层的上表面的所述第二钝化层；步骤S7：在所述第二钝化层上制备形成一保护层，所述保护层包裹所述第二钝化层；所述第一钝化层包括：至少两层二氧化硅薄膜，多层所述二氧化硅薄膜的折射率自下而上递减，多层所述二氧化硅薄膜的应力自下而上递减，多层所述二氧化硅薄膜的工艺温度自下而上递减；所述第二钝化层包括：至少两层氮化硅薄膜，多层所述氮化硅薄膜的折射率自下而上递增，多层所述氮化硅薄膜的应力自下而上递增，多层所述氮化硅薄膜的工艺温度自下而上递减。
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权利要求：
百度查询： 苏州矩阵光电有限公司 一种半导体钝化结构的制备方法
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