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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种第三代半导体发光元件。该第三代半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，所述n型半导体与有源层之间具有闸流体调制层，所述闸流体调制层包括第一闸流体调制层和第二闸流体调制层；该第三代半导体发光元件，通过调控第一闸流体抑制层与第二闸流体抑制层界面以及第二闸流体抑制层与有源层界面的空穴迁移率、轻空穴有效质量的分布和变化角度，抑制PN相互交错产生结间电容，同时，控制界面的共价键能和纵向声速的分布和变化角度，抑制深能级缺陷中心，解决半导体发光元件使用过程中产生点亮不一致问题，并且，光提取效率，提高半导体发光元件的发光效率。
主权项：1.一种第三代半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，其特征在于，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述n型半导体与有源层之间具有闸流体调制层，所述闸流体调制层包括第一闸流体调制层和第二闸流体调制层；所述第一闸流体调制层的空穴迁移率分布、轻空穴有效质量分布、共价键能分布、纵向声速分布均具有函数y＝lnxx曲线分布；所述第二闸流体调制层的空穴迁移率分布具有函数y＝AsinBx+C曲线分布；所述第二闸流体调制层的轻空穴有效质量分布具有函数y＝DcosEx+F曲线分布；所述第二闸流体调制层的共价键能分布具有函数y＝GcosHx+I曲线分布；所述第二闸流体调制层的纵向声速分布具有函数y＝JcosKx+L曲线分布；其中，J≤G≤D≤A，所述第一闸流体调制层的空穴迁移率的谷值位置往量子阱方向的上升角度为α，所述第二闸流体调制层的空穴迁移率的峰值位置往n型半导体方向的下降角度为β，所述第二闸流体调制层的空穴迁移率的峰值位置往量子阱方向的下降角度为γ，其中，20°≤α≤γ≤β≤90°，其中，角度为曲线的切线倾斜角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种第三代半导体发光元件
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