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申请/专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种光子集成芯片结构及其制作方法，属于半导体激光器技术领域，能够有效实现集成芯片中各分立器件之间的P\N电隔离，从而对器件进行P\N双侧射频驱动。所述光子集成芯片结构包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；底部导电层，形成在缓冲层上，其包括多个底部导电区，相邻两个底部导电区之间设置有底部隔离区，底部隔离区用于将相邻两个底部导电区隔离；底部隔离区与相邻的底部导电区中掺杂杂质的类型相反；核心层，其包括多个核心区，核心区与底部导电区一一对应；顶部导电层，其包括多个顶部导电区，顶部导电区与核心区一一对应，相邻两个顶部导电区之间具有顶部隔离区。本发明用于光子集成芯片中各分立器件之间的P\N电隔离。
主权项：1.一种光子集成芯片结构，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底上；底部导电层，形成在所述缓冲层上，其包括多个底部导电区，相邻两个底部导电区之间设置有底部隔离区，底部隔离区用于将相邻两个底部导电区隔离；底部隔离区与相邻的底部导电区中掺杂杂质的类型相反；核心层，形成在所述底部导电层上，其包括多个核心区，所述核心区与所述底部导电区一一对应；顶部导电层，形成在所述核心层上，其包括多个顶部导电区，顶部导电区与核心区一一对应，相邻两个顶部导电区之间具有顶部隔离区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西源杰半导体科技股份有限公司 一种光子集成芯片结构及其制作方法
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