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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：提供一种碳化硅半导体装置及其制造方法，主区能够与主电极进行欧姆接触，并且能够抑制其它部分的表面的凹凸变大。具备有源部和以在俯视时包围有源部的周围的方式设置的耐压构造部，且具备：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层，遍及有源部和耐压构造部地设置；由第二导电型的碳化硅构成的基区，设置于有源部的漂移层的上表面侧；由第一导电型的碳化硅构成的主区，设置于基区的上表面侧，并且主区的至少上表面侧的部分包含3C结构的碳化硅；由4H结构的碳化硅构成的沟道截断区，在耐压构造部的漂移层的上表面侧以在俯视时沿着耐压构造部的外周的方式设置；绝缘栅型电极构造，与主区及基区相接地设置；无机绝缘膜，设置于沟道截断区的上表面。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置，其中，具备有源部和以在俯视时包围所述有源部的周围的方式设置的耐压构造部，所述碳化硅半导体装置具备：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层，其遍及所述有源部和所述耐压构造部地设置；由第二导电型的碳化硅构成的基区，其设置于所述有源部的所述漂移层的上表面侧；由第一导电型的碳化硅构成的主区，其设置于所述基区的上表面侧，并且所述主区的至少上表面侧的部分包含3C结构的碳化硅；由4H结构的碳化硅构成的沟道截断区，其在所述耐压构造部的所述漂移层的上表面侧以在俯视时沿着所述耐压构造部的外周的方式设置；绝缘栅型电极构造，其与所述主区及所述基区相接地设置；以及无机绝缘膜，其设置于所述沟道截断区的上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 碳化硅半导体装置及其制造方法
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