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申请/专利权人：张江国家实验室
摘要：本公开提供了一种晶体管的制备方法，该方法包括：形成复合膜层，复合膜层至少包括第一电极层、设置在第一电极层一侧的栅极层以及设置在栅极层远离第一电极层的绝缘层；在绝缘层的远离第一电极层的一侧形成引导开口；在引导开口内形成导向自组装材料；将导向自组装材料分离成第一聚合物区和包围第一聚合物区的第二聚合物区；去除引导开口内位于第一聚合物区的第一聚合物，以形成使绝缘层暴露的沟道；刻蚀穿过复合膜层的绝缘层和栅极层，以推进沟道并且暴露第一电极层；在沟道的周壁形成第一电介质，生成容纳晶体管的半导体沟道材料的半导体沟道区；以及在半导体沟道区内形成半导体沟道材料。本公开还提供了一种晶体管。
主权项：1.一种晶体管的制备方法，包括：形成复合膜层，所述复合膜层至少包括第一电极层、设置在所述第一电极层一侧的栅极层以及设置在栅极层远离所述第一电极层的绝缘层；在所述绝缘层的远离所述第一电极层的一侧形成引导开口；在所述引导开口内形成导向自组装材料；将所述导向自组装材料分离成第一聚合物区和包围所述第一聚合物区的第二聚合物区；去除所述引导开口内位于第一聚合物区的第一聚合物，以形成使所述绝缘层暴露的沟道；刻蚀穿过所述复合膜层的绝缘层和栅极层，以推进所述沟道并且暴露所述第一电极层；在所述沟道的周壁形成第一电介质，生成容纳所述晶体管的半导体沟道材料的半导体沟道区；以及在所述半导体沟道区内形成半导体沟道材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 晶体管的制备方法和晶体管
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