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申请/专利权人：希荻微电子集团股份有限公司
摘要：本申请公开了一种晶体管及其形成方法、静电放电保护电路与电子设备，涉及静电保护技术领域。晶体管包括P型阱、体端子区域、源极区域、第一金属硅化物层、第一金属与多个第一接触结构。体端子区域紧挨着源极区域。第一金属硅化物层设置于体端子区域及源极区域表面，与体端子区域及源极区域电连接。第一金属通过多个第一接触结构只与第一金属硅化物层位于体端子区域表面的部分电连接，以增加晶体管的寄生三极管的发射极和体端子区域之间的电阻，或者，第一金属通过多个第一接触结构只与第一金属硅化物层位于源极区域表面的部分电连接，以增加寄生三极管的基极和源极区域之间的电阻。通过上述方式，能够更可靠地实现静电保护。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：P型阱、体端子区域及源极区域，所述体端子区域与所述源极区域设置于所述P型阱内，所述体端子区域紧挨着所述源极区域；第一金属硅化物层，设置于所述体端子区域及所述源极区域表面，并分别与所述体端子区域及所述源极区域电连接；第一金属与多个第一接触结构，所述第一金属通过所述多个第一接触结构只与所述第一金属硅化物层位于所述体端子区域表面的部分电连接，以增加所述晶体管的寄生三极管的发射极和所述体端子区域之间的电阻，或者，所述第一金属通过所述多个第一接触结构只与所述第一金属硅化物层位于所述源极区域的表面的部分电连接，以增加所述寄生三极管的基极和所述源极区域之间的电阻；其中，所述寄生三极管的基极和发射极之间的PN结位于所述P型阱和所述源极区域之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 希荻微电子集团股份有限公司 晶体管及其形成方法、静电放电保护电路与电子设备
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