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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有波导层；在所述衬底上形成覆盖所述波导层的介电层、以及掩埋于所述介电层中的加热器件，所述加热器件位于所述波导层的顶部上方；在所述衬底中形成位于所述波导层底部的防热扩散介质，所述防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率。本发明在加热器件底部形成防热扩散介质，由于防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率，因此防热扩散介质有利于抑制加热器所产生热量的扩散，相应有利于降低加热器所产生的热量经衬底耗散的概率，从而提高了加热器的发热效率，使得所述加热器能够更好地对波导层加热，进而降低了半导体结构的功耗。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；波导层，位于所述衬底上；介电层，位于所述衬底上且覆盖所述波导层；加热器件，掩埋于所述介电层中且位于所述波导层的顶部上方；防热扩散介质，位于所述波导层底部的衬底中，所述防热扩散介质的导热率低于衬底的导热率。
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