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申请/专利权人：河南欣维捷科技有限公司
摘要：本发明公开了一种高密度铈掺杂氧化铟靶材的制备方法，将原料粉末进行湿法球磨获得ICO浆料，将ICO浆料经造粒，得ICO造粒粉体，将ICO造粒粉体进行第一次压制成型获得ICO坯体，将ICO坯体脱脂后，再经多次压制成型处理获得ICO素坯，将ICO素坯进行烧结即得铈掺杂氧化铟靶材；所述原料粉末由In2O3粗粉、In2O3细粉、CeO2粉组成；所述In2O3粗粉的粒径为120‑300nm，所述In2O3细粉的粒径为20‑50nm。本发明解决了高密度ICO靶材的制备技术瓶颈问题，所得ICO烧结靶材具有高密度、低电阻率和高强度的优异性质，工艺流程简单、成本低、绿色无污染，适合规模化生产。
主权项：1.一种高密度铈掺杂氧化铟靶材的制备方法，其特征在于：将原料粉末进行湿法球磨获得ICO浆料，将ICO浆料经造粒，得ICO造粒粉体，将ICO造粒粉体进行第一次压制成型获得ICO坯体，将ICO坯体脱脂后，再经多次压制成型处理获得ICO素坯，将ICO素坯进行烧结即得铈掺杂氧化铟靶材；所述原料粉末由In2O3粗粉、In2O3细粉、CeO2粉组成；所述In2O3粗粉的粒径为120-300nm，所述In2O3细粉的粒径为20-50nm，所述In2O3细粉的加入量为In2O3粗粉质量的4.6～5wt.％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河南欣维捷科技有限公司 一种高密度铈掺杂氧化铟靶材的制备方法
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