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申请/专利权人：广东工业大学
摘要：本发明属于石墨烯电极材料技术领域，具体涉及一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法及其应用。本发明先将一层聚酰亚胺PI膜贴于铜箔上，再将一层聚四氟乙烯PTFE膜贴于PI表面，然后对双层高分子聚合物膜进行两次激光处理，通过激光诱导形成氟掺杂石墨烯F‑LIG阵列，最终得到由铜箔、PI柱和F‑LIG组成的氟掺杂石墨烯阵列。本发明制备氟掺杂石墨烯的方法简便，可在常温常压和环境气氛下一步生成氟掺杂石墨烯阵列F‑LIG阵列；同时，制得的F‑LIG阵列可作为锂金属电池负极的宿主材料，使制备的锂金属电池具有成核过电位低，循环稳定性好，倍率性能优异等优点。
主权项：1.一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将铜箔集流体覆盖在衬底上，然后将聚酰亚胺PI膜贴于铜箔上，再将聚四氟乙烯PTFE膜贴于PI上，形成PTFE-PI复合膜；S2、对PTFE-PI复合膜进行加工深度为100％的逐行逐列激光划线，使划线部分的PTFE-PI复合膜转化为激光诱导氟掺杂石墨烯F-LIG，剩余未被加工的PTFE-PI复合膜则被划线分割为多个PTFE-PI柱，从而形成预处理激光诱导氟掺杂石墨烯阵列p-F-LIG-a；S3、对p-F-LIG-a表面所有区域进行加工深度为50-70％的等间隔逐行激光划线，利用激光能量将PTFE-PI柱上部转化为F-LIG，得到由铜箔、PI柱和F-LIG组成的激光诱导氟掺杂石墨烯阵列F-LIG-a。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 一种激光诱导氟掺杂石墨烯阵列的制备方法及其应用
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