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申请/专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要：本发明提供一种可以实现晶体面形精度快速收敛的大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法，该方法包括以下步骤：1配置油基抛光液；2在与晶体元件等尺寸的基板表面贴真空吸附垫；3晶体元件背面贴光致失粘保护胶带，将晶体元件吸附在真空吸附垫上，并安装到机床的工装上；4对晶体元件的加工面进行快速抛光；5快速抛光完成后，抬升工件盘，将晶体元件和基板从抛光盘上取下；6对晶体元件进行翻面快速抛光。本发明采用硬质抛光盘全口径抛光的方法对晶体元件进行加工，抛光过程中晶体元件全表面与抛光工具同时接触，实现了基于刚性对研方式的快速加工，晶体面形精度快速收敛，可广泛应用于各类规格光学元件的加工。
主权项：1.大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1配置油基抛光液；2在与晶体元件11等尺寸的基板1表面贴真空吸附垫10；3晶体元件11背面贴光致失粘保护胶带，将晶体元件11吸附在真空吸附垫10上，并将晶体元件11与基板1整体安装到机床的工装上；4对晶体元件11的加工面进行快速抛光，将平面度提高至10μm内，快速抛光参数为：转速15～20rpm，加工压力800～1200Pa，磨料粒度≥1μm，加工时间20～40min；5快速抛光完成后，抬升工件盘3，将晶体元件11和基板1从抛光盘12上取下，并采用UV光照射胶带，使得晶体元件11与光敏胶带无损剥离；6对晶体元件11进行翻面快速抛光，将双面平面度提高至10μm内；7对晶体元件11的加工面进行精密抛光，将平面度提高至2μm，精密抛光参数为：转速3～5rpm，加工压力200～600Pa，磨料粒度0.3～1μm，加工时间10～20min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法
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