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申请/专利权人：南昌大学共青城光氢储技术研究院
摘要：本发明提供了一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法，涉及太阳能电池技术领域。本发明提供的方法包括以下步骤：在热丝CVD设备内1600‑2200℃的热丝温度、5‑1000sccm的硅烷流量、0.3‑5Pa的压力下，在待镀膜硅片表面沉积缓冲层制得中间体硅片；在1600‑2200℃的热丝温度、5‑1000sccm的硅烷流量、2‑3000sccm的氢气流量、0.3‑5Pa的压力下，在中间体硅片的缓冲层表面沉积主体层，制得沉积有本征氢化非晶硅膜的硅片；其中，所述本征氢化非晶硅膜包括依次沉积成型的缓冲层和主体层。本发明通过采用热丝CVD技术制备本征氢化非晶硅膜能够有效降低设备成本，并且采用多层膜沉积的本征氢化非晶硅膜能够有效抑制外延，可以获得钝化质量的提升，提升少子寿命和光电转换效率。
主权项：1.一种热丝CVD制备本征氢化非晶硅膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：在热丝CVD设备内1600-2200℃的热丝温度、5-1000sccm的硅烷流量、0.3-5Pa的压力下，在待镀膜硅片表面沉积缓冲层制得中间体硅片；在1600-2200℃的热丝温度、5-1000sccm的硅烷流量、2-3000sccm的氢气流量、0.3-5Pa的压力下，在中间体硅片的缓冲层表面沉积主体层，制得沉积有本征氢化非晶硅膜的硅片；其中，所述本征氢化非晶硅膜包括依次沉积成型的缓冲层和主体层。
全文数据：
权利要求：
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