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申请/专利权人：电子科技大学

摘要：本发明属于电源管理技术领域，尤其涉及一种功率管驱动信号的死区时间设置电路。本发明将输入的可编程电流转化为短脉冲，然后通过施密特触发器对自偏置差分比较器的输出进行整形，得到宽度线性可调的短脉冲，用于调节死区时间大小。相比传统结构，本发明产生线性可调的死区时间，通过控制外部输入电压对死区时间进行线性调整，对输入端的电容进行快速充放电将编程电流信息转化为死区时间信息，最终实现精准快速地产生线性可调死区时间，相比传统的死区时间设置电路更加准确快速。

主权项：1.一种功率管驱动信号的死区时间设置电路，其特征在于，包括放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、电容、电阻、施密特触发器，或非门；放大器的正输入端接输入电压，负输入端接第二PMOS管的漏极和电阻的一端，放大器的输出端接第一PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极和第五PMOS管的栅极，电阻的另一端接地；第一PMOS管的源极接电源，其漏极接第二PMOS管的源极，第二PMOS管的栅极接第四PMOS管的栅极；第三PMOS管的源极接电源，其漏极接第四PMOS管的源极，第四PMOS管的漏极接第一NMOS管的漏极、电容的一端、第八PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极；第一NMOS管的栅极接时钟信号，第一NMOS管的源极和电容的另一端接地；第五PMOS管的源极接电源，其漏极接第八PMOS管的源极、第七PMOS管的漏极、第九PMOS管的源极；第八PMOS管的漏极接第二NMOS管的漏极、第七PMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极；第二NMOS管的源极接第三NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极；第四NMOS管的源极接地；第六PMOS管的源极接电源，其栅极接时钟信号，其漏极接第七PMOS管的源极；第九PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极接基准电压，第九PMOS管的漏极接第三NMOS管的漏极、施密特触发器的输入端；施密特触发器的输出端接或非门的一个输入端，或非门的另一个输入端接时钟信号，或非门的输出端输出死区时间设置电源，死区时间设置电压的脉冲宽度代表死区时间大小。

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