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半导体马赫-曾德尔光调制器 

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申请/专利权人:日本电信电话株式会社

摘要:一个目的是解决由高频线和端接电阻之间的阻抗失配引起的光调制器的高频特性的劣化。半导体马赫‑曾德尔光调制器包括输入侧引出线20~23、相位调制电极线24~27、输出侧引出线28~31、将通过相位调制电极线24~27传播的调制信号施加到各个波导16~19的电极32~35,以及接地线48~50。此外,在衬底和输出侧引出线28~31下方的下层中的介电层之间,沿输出侧引出线28~31间断地形成至少一个n型半导体层或p型半导体层。

主权项:1.一种半导体马赫-曾德尔光调制器,包括:光波导,所述光波导形成于衬底上;至少一个介电层,所述至少一个介电层在所述衬底上;输入侧引出线,所述输入侧引出线形成于所述至少一个介电层上,所述输入侧引出线包括输入调制信号的第一端;相位调制电极线,所述相位调制电极线沿所述光波导形成于所述介电层上,所述相位调制电极线包括与所述输入侧引出线的第二端连接的第一端;输出侧引出线,所述输出侧引出线形成于所述介电层上,所述输出侧引出线包括与所述相位调制电极线的第二端连接的第一端;电极,所述电极被配置为将调制信号施加到所述光波导,所述调制信号通过所述相位调制电极线传播;以及衰减器,所述衰减器被配置为衰减所述输出侧引出线下方的下层和所述输出侧引出线上方的上层中的一者中的所述调制信号,其中,所述衰减器为至少一个n型半导体层或至少一个p型半导体层,所述至少一个n型半导体层或至少一个p型半导体层在所述输出侧引出线下方的所述下层中沿所述输出侧引出线间断形成。

全文数据:

权利要求:

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