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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种无需背向刻蚀的马赫曾德型片上加速度计。本发明在薄膜铌酸锂平台上构建了马赫‑曾德型干涉仪的敏感区域，敏感区域内的质量块无需背向刻蚀。采用上述结构的片上加速度计避免了复杂的背向刻蚀工艺，在上表面涂敷光刻胶并进行图案化作为质量块的主体部分。本发明具有两条完全独立的干涉路径：施加y向加速度，第一质量块和第二质量块y方向位置发生偏移，造成第一微梁和第二微梁发生形变，其中第一微梁处于伸长状态，第二微梁处于压缩状态，两个微梁长度存在微小差异，所以两条干涉路径上存在相位差，利用马赫‑曾德型干涉仪可以将相位差转化为干涉信号。本发明制造工艺简单，成本低，易于大规模生产，抗电磁干扰，有较高的实用价值。
主权项：1.一种无需背向刻蚀的马赫曾德型片上加速度计，其特征在于，包括光源1、输入波导2、马赫-曾德型干涉仪、光功率计17和解调反馈电路18；马赫-曾德型干涉仪包括干涉仪输入组件、敏感单元23和干涉仪输出组件，光源1经输入波导2后与干涉仪输入组件相连，干涉仪输入组件通过敏感单元23与干涉仪输出组件相连，干涉仪输出组件经光功率计17后再与解调反馈电路18相连；其中，输入波导2和干涉仪输出组件均包括上下层叠布置的光刻胶层22、铌酸锂单晶薄膜层21、二氧化硅氧化层20和硅衬底19，敏感单元23包括铌酸锂单晶薄膜层21和硅衬底19，铌酸锂单晶薄膜层21下方的二氧化硅氧化层20被完全腐蚀，使得铌酸锂单晶薄膜层21与硅衬底19之间间隔布置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种无需背向刻蚀的马赫曾德型片上加速度计
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