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申请/专利权人：阿托梅拉公司
摘要：制造半导体器件的方法可包括在半导体层中形成间隔开的源极和漏极区域102’，103’，在它们之间具有延伸的沟道区域130’。可通过掺杂剂扩散阻挡超晶格125’将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域104’，106’和上部区域105’，107’，其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度。该方法还可包括在该沟道区域上形成栅极108’，在该上部区域上沉积至少一个金属层，和施加热以使非半导体原子从非半导体单层向上运动从而与该至少一个金属层反应以在该上部区域和该至少一个金属层的相邻部分之间形成接触绝缘界面。
主权项：1.用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体层中形成间隔开的源极和漏极区域，在它们之间具有延伸的沟道区域，通过掺杂剂扩散阻挡超晶格将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域，其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度，该掺杂剂扩散阻挡超晶格包含多个堆叠的层组，每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个氧单层；在该沟道区域上形成栅极；在上部区域上沉积至少一个金属层；和施加热以使氧原子从氧单层向上运动从而与该至少一个金属层反应以在该上部区域和该至少一个金属层的相邻部分之间形成接触绝缘界面，并且在该上部区域和该下部区域之间没有留下超晶格。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 阿托梅拉公司 制造具有减小的接触电阻的半导体器件的方法
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