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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种接触孔自对准的MOSFET制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，在外延层的上表利用离子注入形成体区；在外延层上形成硬掩膜层，在硬掩膜层及其下方的外延层上的有源区上形成第一栅极沟槽，第一栅极沟槽的底端与体区的底端保持有预设的间距；在第一栅极沟槽的侧壁形成侧墙，以侧墙和硬掩膜层为掩膜刻蚀第一栅极沟槽底部的外延层，形成第二栅极沟槽，第二沟槽的底部延伸出体区至外延层上；在有源区上形成接触孔，其包括以下步骤：在第二栅极沟槽中形成栅极介电层以及位于栅极介电层上的栅极多晶硅层；去除硬掩膜层和侧墙。本发明能保证较小的热过程的前提下进一步消除接触孔套刻偏移对工艺影响，进一步缩小元胞尺寸，提升沟道电流密度。
主权项：1.一种接触孔自对准的MOSFET制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成外延层，在所述外延层的上表利用离子注入形成体区；步骤二、在所述外延层上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层及其下方的所述外延层上的有源区上形成第一栅极沟槽，所述第一栅极沟槽的底端与所述体区的底端保持有预设的间距；步骤三、在所述第一栅极沟槽的侧壁形成侧墙，以所述侧墙和所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述第一栅极沟槽底部的所述外延层，形成第二栅极沟槽，所述第二沟槽的底部延伸出所述体区至所述外延层上；步骤四、在所述有源区上形成接触孔，其包括以下步骤：在所述第二栅极沟槽中形成栅极介电层以及位于所述栅极介电层上的栅极多晶硅层；去除所述硬掩膜层和所述侧墙，利用离子注入在裸露的所述外延层上形成位于所述有源区的源区；形成填充剩余所述第一沟槽的层间介质层；以所述层间介质层为掩膜层刻蚀选定区域中的所述外延层，在所述外延层上形成位于所述层间介质层之间的接触孔。
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权利要求：
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