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申请/专利权人：长沙韶光芯材科技有限公司
摘要：本申请涉及芯片镀膜技术领域，具体涉及一种芯片真空镀膜方法及装置，该方法包括：芯片真空镀膜过程中，将镀膜腔体中的空气抽出，达到所需真空压强后，PLC发送指令到芯片蒸镀系统的坩埚控制系统的驱动器，驱动步进电机带动工作台进行移动，实现蒸镀材料的加注；利用电子束蒸发蒸镀材料，在芯片上凝结形成薄膜；所述所需真空压强的调整方法为：获取各采集时刻的腔体温度参数和腔体真空压强参数；获取各检测区间，确定各检测区间中各压强突变参数的真空异常系数和各温度突变参数的温度异常系数；确定各检测区间的关联异常因子和镀膜异常因子；调整镀膜腔体中的真空压强。本申请旨在保障芯片真空镀膜的稳定性与镀膜质量。
主权项：1.一种芯片真空镀膜方法，其特征在于，包括：芯片真空镀膜的过程为：通过PLC驱动真空泵将镀膜腔体中的空气抽出，达到所需真空压强后，PLC发送指令到芯片蒸镀系统的坩埚控制系统的驱动器，驱动器驱动步进电机带动工作台进行移动，实现蒸镀材料的加注；利用电子束蒸发蒸镀材料，在芯片上凝结形成薄膜；芯片真空镀膜过程中，所述所需真空压强的调整方法为：采集芯片真空镀膜过程中镀膜腔体在各采集时刻的腔体温度参数和腔体真空压强参数；将所有采集时刻均匀划分为各预设长度的检测区间，分别基于各检测区间中腔体真空压强参数和腔体温度参数的异常情况，确定各检测区间中各压强突变参数的真空异常系数和各温度突变参数的温度异常系数；结合各检测区间中压强突变参数和温度突变参数之间分布的相似性，以及所有压强突变参数的真空异常系数和所有温度突变参数的温度异常系数，确定各检测区间的关联异常因子；基于各检测区间中腔体温度参数和腔体真空压强参数的同步异常情况，确定各检测区间的镀膜异常因子；结合当前检测区间的关联异常因子、镀膜异常因子和腔体真空压强参数，调整镀膜腔体中的真空压强。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长沙韶光芯材科技有限公司 一种芯片真空镀膜方法及装置
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