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申请/专利权人：马鞍山市槟城电子有限公司

摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：其中，第一制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口；第二制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第二保护层；通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口；对待挖槽区域进行腐蚀处理，以形成沟槽；第三制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第三保护层；通过激光工艺去除部分第三保护层，以形成电极窗口。本发明实施例的技术方案通过激光去除掩膜，替代光刻实现图形转移。

主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：第一制程、第二制程和第三制程：其中，所述第一制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层，其中，在所述半导体衬底的至少一侧形成第一保护层包括：在所述半导体衬底的相对的第一侧和第二侧形成第一保护层；通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口，其中，通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口包括：通过激光工艺去除所述半导体衬底的第一侧的部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口；通过图像采集模块，获取所述半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口的位置；根据所述半导体衬底的第一侧的待掺杂区域的掺杂窗口的位置，调整激光光斑在所述半导体衬底的第二侧的位置；通过激光工艺去除所述半导体衬底的第二侧的部分第一保护层，以形成暴露所述半导体衬底的第二侧的待掺杂区域的掺杂窗口；对所述待掺杂区域进行掺杂处理，以形成掺杂区域；所述第二制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第二保护层；通过激光工艺去除部分第二保护层，以形成暴露所述半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口；对所述待挖槽区域进行腐蚀处理，以形成沟槽；所述第三制程包括：在半导体衬底的至少一侧形成第三保护层；通过激光工艺去除部分第三保护层，以形成电极窗口；在所述电极窗口内形成导电材料层，以形成电极；在对所述待掺杂区域进行掺杂处理之前，还包括：对所述掺杂窗口的底部和侧壁进行损伤修复处理；其中，所述半导体器件包括下述至少一种：瞬态抑制二极管、整流二极管、稳压管、触发管、场效应管、半导体放电管、可控硅、三极管、肖特基二极管、发光管。

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