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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本发明提出了低暗电流ponn型碲镉汞器件、制备方法及红外探测器，其中，制备方法包括：S10，建立ponn型碲镉汞器件的仿真模型，通过性能测试实验分别获取p型层掺杂浓度、n型层掺杂浓度、过渡层厚度与暗电流间的关系趋势；S20，基于获得的关系趋势，确定待制备的ponn型碲镉器件的p型层、n型层掺杂浓度范围及过渡层的厚度范围；S30，生长衬底层，在衬底层上依次生长n型层、过渡层和p型层；其中，当ponn型碲镉器件为台面型长波器件时，n型层的掺杂In浓度范围为1×1015cm3~1×1018cm3，过渡层的厚度范围为0.1μm~0.3μm，p型层的掺杂Hg空位或As浓度范围为5×1015cm3~5×1017cm3。本发明可制备低暗电流器件，应用价值高。
主权项：1.一种低暗电流ponn型碲镉汞器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备台面型长波器件，所述制备方法包括：S10，建立ponn型碲镉汞器件的仿真模型，通过性能测试实验计算并多角度分别获取p型层掺杂浓度、n型层掺杂浓度、过渡层厚度与暗电流间的关系趋势；得出n型层掺杂In浓度越高，台面型长波器件暗电流越小；p型层随着掺杂浓度增加，暗电流先减小后增加，存在最低值；S20，基于获得的p型层掺杂浓度、n型层掺杂浓度、过渡层厚度与暗电流间的关系趋势，确定待制备的ponn型碲镉器件的p型层掺杂浓度范围、n型层掺杂浓度范围及过渡层的厚度范围；S30，生长衬底层，在所述衬底层上依次生长n型层、过渡层和p型层；其中，所述n型层的掺杂In浓度范围为1×1015cm3~1×1018cm3，所述n型层的厚度范围为9μm~10μm，Cd组分值在0.2~0.25之间；所述过渡层的厚度范围为0.1μm~0.3μm；所述p型层的掺杂Hg空位或As浓度范围为5×1015cm3~5×1017cm3，所述p型层的厚度范围为1.8μm~2.0μm，Cd组分值在0.22~0.27之间，且所述p型层的Cd组分值比所述n型层的Cd组分值高0.02~0.05。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 低暗电流p on n型碲镉汞器件、制备方法及红外探测器
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