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申请/专利权人:杭州芯迈半导体技术有限公司
摘要:本申请公开了一种超结功率器件,包括衬底层、外延层、栅极结构和位于栅极结构下方的电介质区域、位于栅极结构和电介质区域的两侧的阱区、位于阱区内的源区以及阱接触区。在电介质区域的部分侧壁上覆有具有第二导电类型的半导体层。电介质区域的未覆盖半导体层的部分至少位于源区之间的栅极结构下方。本申请提供的超结功率器件,元胞尺寸明显降低,器件的导通性能好。同时本申请提供的制造方法简单易行,可显著减少工艺时间和制造成本。
主权项:1.一种超结功率器件,包括:衬底层,具有第一导电类型;外延层,位于衬底层之上,具有第一导电类型;栅极结构;电介质区域,位于栅极结构下方;阱区,位于外延层内,且位于栅极结构的两侧,具有第二导电类型;源区,位于阱区内,且位于栅极结构的两侧,具有第一导电类型;以及阱接触区,位于阱区内,且位于栅极结构的两侧,具有第二导电类型;所述电介质区域的部分侧壁上覆有具有第二导电类型的半导体层,所述电介质区域的未覆盖半导体层的部分至少位于源区之间的栅极结构下方。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 杭州芯迈半导体技术有限公司 一种超结功率器件及其制造方法
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