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申请/专利权人：中国民航大学

摘要：本发明涉及一种莫来石晶须二次原位生长强化轻质隔热陶瓷的制备方法，其包括将纳米铝溶胶、纳米硅溶胶、水按照一定比例混合后加入四水合钼酸铵，均匀搅拌制备晶须生长前驱体。随后烘干、研磨成固态粉状产物，填入氧化铝模具中无压振实，高温煅烧后得到莫来石晶须。将固态粉状产物与莫来石晶须按照一定比例混合，加水搅拌后再次填模、风干脱膜，高温煅烧得到二次原位生长的莫来石晶须强化轻质隔热陶瓷。本发明效果：生产步骤精简，操作方法高效，废物的产生和有害物质排放少，符合可持续性原则；可以实现精确调控陶瓷的外观结构和组分，在高温环境中展现出卓越的稳定性；所制备的轻质多孔陶瓷具有卓越的抗压能力，其强度范围在36.24‑38.05MPa之间；材质轻巧，密度维持在1.24‑1.26gcm3，有助于减轻结构重量；陶瓷在15mm的厚度下，可将1200‑1300℃高温隔热至背面的150‑160℃，具有优越的绝热性能。

主权项：1.一种莫来石晶须二次原位生长强化轻质隔热陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括按顺序进行的下列步骤：1将纳米铝溶胶、纳米硅溶胶和钼酸铵按照质量比38-42：9-12：0.4-1.6进行取重称量。将称量好的铝溶胶和硅溶胶与占溶液总质量为15-25％的水混合，置于搅拌器中混合均匀。2将称量好的钼酸铵加入步骤1制备的液体中，持续搅拌10-30min，获得胶状莫来石晶须生长前驱体乳膏。3将步骤2制备的晶须生长前驱体乳膏放置于烘箱中，在75-85℃下烘干12-18h，取出后置于研钵中研磨成粒度为300-340目的粉状产物；4将步骤3固态粉状产物填置于氧化铝模具中无压振实，连同模具置于高温炉内以4-6℃min的升温速率升温至1200-1400℃，保温30-180min后随炉降温，降至室温后从炉内取出，脱模并研磨后得到高纯度的莫来石晶须。5将步骤3得到的粉状产物与步骤4得到的莫来石晶须按照质量比98-102：2-10进行取重称量，将称量好的粉状产物和莫来石晶须充分混合，随后加入占粉状产物质量为40-100％的水，持续搅拌5-10min，得到膏状产物。6将步骤5制备的膏状产物填至于氧化铝模具中无压振实，在15-35℃的条件下自然风干72-96h，得到固状块体。7将步骤6得到的固状块体置于高温炉内以4-6℃min的升温速率升温至1100-1500℃，保温30-180min后随炉降温，降至室温后从炉内取出，得到莫来石晶须二次原位生长强化轻质隔热陶瓷。

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