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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种集成双多功能槽栅的超结RC‑LIGBT器件，属于半导体功率器件领域，包括LIGBT栅极与集电极区域自适应槽栅以及P型漂移区。该器件在正向导通时，集电极区域自适应槽栅开启，集电极nMOS向漂移区内注入电子，通过控制电子注入效率抑制snapback效应。该器件在反向导通时LIGBT栅极与集电极区域自适应槽栅同时作用，降低P型漂移区中势垒形成电子通路进行反向导通。在器件关断时，发射极区域pMOS开启抽取空穴，集电极区域nMOS开启抽取电子，实现器件的快速关断。本发明优化了器件的正向导通特性并且抑制了snapback现象，具有反向导通能力，优化了器件的关断损耗与导通电压之间的折中关系。
主权项：1.一种集成双多功能槽栅的超结RC-LIGBT器件，其特征在于：包括衬底13、介质隔离层12、N型漂移区4、自偏置pMOS与自偏置nMOS槽栅3、自适应槽栅7、CS载流子存储层10和P型漂移区11；所述介质隔离层12位于所述衬底13上方；所述P型漂移区11位于N型漂移区4与CS载流子存储层10下方；所述CS载流子存储层10上方为P-well9，右侧为槽栅3，下方为P型漂移区11；所述P-collector区6、自适应槽栅7与N-collector区8构成集电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种集成双多功能槽栅的超结RC-LIGBT器件
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