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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种改善屏蔽栅侧壁填充的方法，提供衬底，在衬底上形成栅极沟槽，在栅极沟槽中依次形成第一、二栅介质层，第一、二栅介质层的材料不同，第二栅介质层的厚度薄于第一栅介质层；在剩余的栅极沟槽的底部形成栅极多晶硅层；回刻蚀第一栅介质层至栅极多晶硅层上表面处，在回刻蚀过程中，第二栅介质层作为对于衬底侧壁的保护层；利用不大于预设刻蚀量的刻蚀去除裸露的第二栅介质层，形成填充剩余栅极沟槽的隔离介质层。本发明在第一栅介质层去除过程中，多晶硅衬底两边被第二栅介质层保护，第二栅介质层仅需少量刻蚀即可去除，能够解决多晶硅衬底两边隔离介质层填充产生空洞的问题。
主权项：1.一种改善屏蔽栅侧壁填充的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成栅极沟槽，在所述栅极沟槽中依次形成第一、二栅介质层，所述第一、二栅介质层的材料不同，所述第二栅介质层的厚度薄于所述第一栅介质层；步骤二、在剩余的所述栅极沟槽的底部形成栅极多晶硅层；步骤三、回刻蚀所述第一栅介质层至所述栅极多晶硅层上表面处，在回刻蚀过程中，所述第二栅介质层作为对于所述衬底侧壁的保护层；步骤四、利用不大于预设刻蚀量的刻蚀去除裸露的所述第二栅介质层，形成填充剩余所述栅极沟槽的隔离介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善屏蔽栅侧壁填充的方法
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