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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本实用新型提供一种气相沉积设备及其上衬垫，包含一反应腔，反应腔内的下方设有托盘，托盘的上表面为晶圆承载面，所述设备包含：上衬垫，其设置在反应腔内并与晶圆承载面相对，上衬垫与晶圆承载面之间形成反应区域；进气装置，用于横向地向反应区域内注入工艺气体；上衬垫由第二母线绕进气装置的中心轴旋转而成，第二母线由第一母线绕其起始点在竖直方向上旋转设定的角度而成，第一母线具有靠近中心轴的起始点和远离中心轴的终点；点x、y为第一母线上的任意两点，点x、y与晶圆承载面之间的竖直距离分别记为h1、h2，点x、y与中心轴之间的水平距离分别记为l1、l2，点x、y满足h1×l1＝h2×l2，或者，上衬垫由第三母线绕进气装置的中心轴旋转而成，第三母线为直线，第三母线与第一母线共用起始点和终点。
主权项：1.一种气相沉积设备，包含一反应腔，所述反应腔内的下方设有托盘，所述托盘的上表面为晶圆承载面，所述托盘的底部固定连接一驱动轴，其特征在于，所述气相沉积设备包含：上衬垫，其设置在所述反应腔内并与所述晶圆承载面相对，所述上衬垫与所述晶圆承载面之间形成反应区域；进气装置，所述进气装置用于横向地向所述反应区域内注入工艺气体；所述上衬垫由第二母线绕所述进气装置的中心轴旋转而成，所述第二母线由第一母线绕其起始点在竖直方向上旋转设定的角度而成，所述第一母线具有靠近所述中心轴的所述起始点和远离所述中心轴的终点；点x、y为所述第一母线上的任意两点，点x、y与所述晶圆承载面之间的竖直距离分别记为h1、h2，点x、y与所述中心轴之间的水平距离分别记为l1、l2，点x、y满足h1×l1＝h2×l2，或者，所述上衬垫由第三母线绕所述进气装置的中心轴旋转而成，所述第三母线为直线，所述第三母线与所述第一母线共用所述起始点和终点。
全文数据：
权利要求：
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