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申请/专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，包括获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将硅片翻转180度，并在位于背面的非晶硅膜层的沿表面边缘覆盖掩膜；掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有掩膜的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；在位于正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。本申请先在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层，然后翻转硅片，在位于背面的非晶硅膜层的表面覆盖掩膜，掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，掩膜遮挡宽度变窄，增加背面TCO膜层的面积，提升电池的效率。
主权项：1.一种异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将所述硅片翻转180度，并在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沿边缘覆盖掩膜；其中，所述掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；所述掩膜的外侧边缘与所述非晶硅膜层的边缘重合；所述掩膜的遮挡实现正面和背面所述TCO膜层的电学隔离；所述掩膜的材料为不锈钢；将所述硅片翻转180度时，使用机械传输设备对硅片进行翻转；在覆盖有所述掩膜的所述非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池；在所述获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片之前，还包括：获得所述硅片；在所述硅片的所述正面和所述背面分别沉积本征非晶硅膜层；在位于所述正面的所述非晶硅膜层的表面沉积p型非晶硅膜层；在位于所述背面的所述非晶硅膜层的表面沉积n型非晶硅膜层；在所述获得所述硅片之后，还包括：对所述硅片进行双面制绒处理；在所述分别在位于所述正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极之后，还包括：进行EL测试和IV曲线测试，筛选出不合格的异质结太阳能电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件
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