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申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

摘要：本发明公开了一种潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算时间，提升LFD仿真加速效率，同时提高了光刻友好设计的精确度。

主权项：1.一种潜在热点图形区域确定方法，其特征在于，包括：获取电路版图上的图形区域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心点；基于各所述图形切割中心点获取潜在热点图形区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距离形成的第一正方形区域，所述第一预设扩展距离为所述第一正方形区域的对角线长度的一半；所述图形区域包括金属线，所述对所述图形区域进行遍历并获取截断点，包括：确定所述图形区域内的任意一条金属线为第一金属线；获取所述截断点的第一起始位置，所述第一起始位置为所述第一金属线与所述图形区域相交的位置；获取位于所述第一金属线上的第一标识线，所述第一标识线为以所述第一起始位置为起始点，并以第一预设步长等间距形成的标记线；获取第二金属线，所述第二金属线与所述第一金属线的距离小于预设阈值距离；获取位于所述第一金属线上的第二标识线，所述第二标识线为所述第二金属线的尾端在所述第一金属线上的正投影线；或所述对所述图形区域进行遍历并获取截断点，还包括：获取截断点区域，所述截断点区域为所述图形区域内除却所述金属线形成的多边形区域；获取所述截断点的第二起始位置，所述第二起始位置为所述截断点区域与所述图形区域相交的位置；获取位于所述截断点区域内的第三标识线，所述第三标识线为以所述第二起始位置为起点，沿所述金属线以第二预设步长等间距形成的标记线；获取位于所述截断点区域内的矩形区域，所述矩形区域的任一条边长的长度大于所述第二预设步长，其中，所述矩形区域的中心点为所述图形切割中心点。

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权利要求：

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