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申请/专利权人：东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司
摘要：本发明涉及芯片设计领域，特别涉及一种设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质。设计图形坏点检测方法包括如下步骤：提供设计图形，根据设计图形生成第一掩模版，对第一掩模版进行仿真得到第一光刻胶轮廓；依据光刻工艺训练神经网络模型，把设计图形作为神经网络模型的输入，得到第二掩模版，通过第二掩模版仿真得到第二光刻胶轮廓；检查第二光刻胶轮廓和第一光刻胶轮廓的区别点；神经网络模型重新采集区别点的设计图形数据，通过神经网络模型得到新的第二光刻胶轮廓；检测新的第二光刻胶轮廓存在的坏点，输出检测到的坏点。通过神经网络模型极大提高了得到光刻胶轮廓的速度，同时能够检查设计图形全范围的坏点。
主权项：1.一种设计图形坏点检测方法，其特征在于：包括以下步骤：提供设计图形，根据设计图形生成第一掩模版，对第一掩模版进行仿真得到第一光刻胶轮廓；依据光刻工艺训练神经网络模型，把设计图形作为神经网络模型的输入，得到第二掩模版，通过第二掩模版仿真得到第二光刻胶轮廓；检查第二光刻胶轮廓和第一光刻胶轮廓的区别点，并记录区别点的区别值；神经网络模型重新采集区别点的设计图形数据，通过神经网络模型得到新的第二光刻胶轮廓；检测新的第二光刻胶轮廓存在的坏点，输出检测到的坏点。
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百度查询： 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司 设计图形坏点检测方法、光刻布线方法、系统及存储介质
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