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申请/专利权人：山东胜利通海集团东营天蓝节能科技有限公司;山东理工大学
摘要：本发明公开了一种复相ZnOZnS纳米阵列薄膜的制备方法及其应用，涉及半导体技术领域。本发明具体过程如下：以结晶乙酸锌简单气相蒸镀法在叉指电极表面生长ZnO晶种层，以结晶硝酸锌、1,2‑二甲基咪唑、乙醇和水为反应原料，通过液相法在ZnO晶种上生长ZnO纳米阵列薄膜，该薄膜均匀致密，ZnO纳米阵列薄膜片垂直生长于叉指电极基底，ZnO纳米阵列薄膜片的厚度为50‑100nm，与基底材料结合牢固，采用硫化钠溶液对叉指电极进行原位硫化处理制得ZnOZnS纳米阵列薄膜，所制备的复相ZnOZnS纳米阵列薄膜对硫化氢气体表现出室温敏感性能，制备步骤简单可控，可操作性强，重现性好，制备工艺简单，适合于规模化、工业化生产。
主权项：1.一种复相ZnOZnS纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：以结晶乙酸锌用简单气相蒸镀法在叉指电极表面生长ZnO晶种层；S2：以结晶硝酸锌和1,2-二甲基咪唑为反应原料，以乙醇和水为溶剂，通过液相法在ZnO晶种上生长ZnO纳米阵列薄膜；ZnO纳米阵列薄膜片垂直生长于叉指电极基底，纳米阵列薄膜片的厚度为50-100nm，与基底材料结合牢固；S3：采用硫化钠溶液对叉指电极进行原位硫化处理制得ZnOZnS纳米阵列薄膜；所述S2中结晶硝酸锌和1,2-二甲基咪唑的摩尔比为1∶1-2；所述S2中液相法的步骤为：将结晶硝酸锌和1,2-二甲基咪唑溶解于乙醇和水的混合液中，乙醇和水配比为1∶4，搅拌20-30分钟使其充分混合得到混合液；将带有ZnO晶种的叉指电极悬置于混合液中浸渍生长12-24小时，然后取出用乙醇冲洗干净；将叉指电极置于马弗炉中，在400-450℃下加热1小时，获得ZnO纳米阵列薄膜。
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百度查询： 山东胜利通海集团东营天蓝节能科技有限公司 山东理工大学 一种复相ZnO/ZnS纳米阵列薄膜的制备方法及其应用
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