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申请/专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
摘要：本发明公开了一种反向导通IGBT结构，其包括具有顶部和与顶部相对的背部的衬底、一个或多个IGBT顶部单元、包括IGBT背部集电极区域的一个或多个二极管顶部单元，形成在衬底的背部中的一个或者多个IGBT顶部侧单元下方，以及边界区域，所述边界区域形成在所述一个或多个二极管顶部单元的一部分下方的所述衬底的背部中。其优点是：所述反向导通IGBT结构包含边界区域，所述边界区域允许减少空穴向有源二极管区域的迁移，并且通过分离有源顶侧IGBT区域和有源后侧二极管阴极区域来消除寄生MOSFET。
主权项：1.一种反向导通IGBT，其特征在于，包括：一个掺杂有第一导电类型的离子衬底,具有顶部和与所述顶部相对的背部，其中所述第一导电类型与第二导电类型相反；一个或多个IGBT顶部单元，包括形成在衬底的顶部中并掺杂有第二导电类型离子的IGBT本体区域，以及形成在IGBT本体区域中并重掺杂有第一导电类型离子的IGBT源极区域；一个或多个二极管顶部单元，包括形成在衬底的顶部中并掺杂有第二导电类型离子的顶部二极管阳极区域；一个IGBT背部集电极区域，其形成在所述一个或多个IGBT顶部单元下方的所述衬底的背部中并且重掺杂有所述第二导电类型的离子；一个边界区域，所述边界区域形成在所述一个或多个二极管顶部单元的一部分下方的所述衬底的背部中并且重掺杂有所述第二导电类型的离子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 万国半导体国际有限合伙公司 双P-本体剂量反向导通（DPD-RC）IGBT结构
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