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申请/专利权人：安徽旭合新能源科技有限公司

摘要：本发明公开了一种新型TOPCon电池、制备方法及设备，包括S1：将待处理的硅片放入制绒槽内双面制绒；S2：将S1所得硅片正面进行硼扩散；S3：将S2所得硅片正面细栅线位置上进行SE激光重掺杂；S4：将S3所得硅片表面氧化处理形成BSG；S5：将S4所得硅片背面进行去BSG和碱抛处理；S6：将S5所得硅片背面使用PECVD进行隧穿氧化层与掺杂非晶硅沉积；S7：将S6所得硅片进行退火晶化处理。本发明通过在硅片正面沉积AlOx薄膜后，增加去AlOx绕镀的步骤，具体利用了滚轮滚动输送硅片的过程中，滚轮的下部分浸没在反应溶液里，从而可沾附反应溶液再与硅片背面接触，以实现腐蚀去绕镀，使得所得硅片的背面外观改善，且接触电阻降低。

主权项：1.一种新型TOPCon电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将待处理的硅片放入制绒槽内双面制绒，形成金字塔结构；S2：将S1所得硅片正面进行硼扩散，硼源为BCl3，扩散方阻为100-150ohmsq；S3：将S2所得硅片正面细栅线位置上进行SE激光重掺杂，重掺杂区域方阻为70-80ohmsq；S4：将S3所得硅片表面氧化处理形成BSG，厚度为80-120nm，方阻为250-350ohmsq；S5：将S4所得硅片背面进行去BSG和碱抛处理，所得背面反射率大于40％，塔基大于6um；S6：将S5所得硅片背面使用PECVD进行隧穿氧化层与掺杂非晶硅沉积，超薄氧化层厚度1-1.8nm，掺杂非晶硅层厚度80-130nm，外层掩膜层氧化硅厚度100-150nm；S7：将S6所得硅片进行退火晶化处理，使掺杂非晶硅晶化为掺杂多晶硅膜，掺杂方阻为30-80ohmsq，退火温度为650-950℃；S8：将S7所得硅片经槽式RCA清洗去除边缘与正面的poly硅绕镀，经HF酸槽清洗掉正面BSG层，保留一定厚度的背面掩膜层氧化硅；S9：将S8所得硅片利用ALD在正面沉积一层AlOx薄膜，厚度为3-8nm；S10：将S9所得硅片背面去AlOx绕镀；S11：将S10所得硅片正背面沉积氮化硅层，正面氮化硅膜厚度60-90nm，折射率为2.0-2.10，背面氮化硅膜厚度70-90nm，折射率为2.05-2.15；S12：将S10所得硅片正背面印刷银浆。

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