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申请/专利权人:江苏索力德普半导体科技有限公司
摘要:本发明涉及一种具有底部屏蔽结构的沟槽制作方法,包括以下步骤:在外延层上淀积硬掩模;光刻后刻蚀硬掩模,直至露出外延层;外延层露出硬掩模部分正面第一次刻蚀沟槽;向外延层垂直注入P型杂质离子,退火处理,在设定深度范围内形成设定宽度的P型屏蔽层;第二次蚀刻沟槽,使沟槽深度达到P型屏蔽层覆盖深度范围内。该P型屏蔽层结构半包围沟槽的下端,使沟槽的拐角部分也能受到P型屏蔽层的保护,有效提高屏蔽效果。该制作方法制作过程中只需要一层外延,垂直注入杂质离子不会产生额外注入部分,且三次刻蚀位置相同,不需要更换掩膜,制作精度高,节约工艺设计成本。
主权项:1.一种具有底部屏蔽结构的沟槽制作方法,其特征在于,包括以下步骤:在外延层上淀积硬掩模;光刻后刻蚀所述硬掩模,直至露出所述外延层;所述外延层露出所述硬掩模部分正面第一次刻蚀沟槽;向所述外延层垂直注入P型杂质离子,退火处理,在设定深度范围内形成设定宽度的P型屏蔽层;第二次蚀刻所述沟槽,使所述沟槽深度达到所述P型屏蔽层覆盖深度范围内。
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权利要求:
百度查询: 江苏索力德普半导体科技有限公司 一种具有底部屏蔽结构的沟槽制作方法
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