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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明提供一种碳化硅全集成器件及其制备工艺，用于解决碳化硅器件间的串扰漏电。器件包括碳化硅衬底和外延层，在外延层内设有高低压隔离结构，其内部区域为低压区，外部区域为高压区；高低压隔离结构包括纵向隔离层，在纵向隔离层的两端分别设有低压横向隔离区且低压横向隔离区，其包括连接于纵向隔离层的重掺杂区及设在其上的隔离沟槽，在重掺杂区上连接有穿越隔离沟槽的金属电极，并在金属电位电极上施加抬升电压。碳化硅全集成器件制备工艺包括：形成衬底、外延生长、沟槽刻蚀、离子注入、生长栅氧化层、淀积多晶硅、淀积蚀钝化层、刻蚀钝化层、淀积金属、刻蚀金属等步骤。本发明具有耐高温、抗辐射能力强、低漏电、低串扰的优点。
主权项：1.一种碳化硅全集成器件，包括：第一导电类型碳化硅衬底层（1），在第一导电类型碳化硅衬底层（1）上设有第二导电类型外延，其特征在于，在第二导电类型外延内设有高低压隔离结构（100），并且，所述高低压隔离结构（100）的内部区域为低压区，高低压隔离结构（100）的外部区域为高压区，在低压区内设有碳化硅低压器件，在高压区内设有碳化硅高压器件；所述高低压隔离结构（100）包括第一导电类型纵向隔离层（4），在第一导电类型纵向隔离层（4）的两端分别设有低压横向隔离区且低压横向隔离区始自所述第二导电类型外延的表面，所述低压横向隔离区包括连接于第一导电类型纵向隔离层（4）的第一导电类型重掺杂区（5）及设在第一导电类型重掺杂区（5）上的隔离沟槽（10），在第一导电类型重掺杂区（5）上连接有金属电位电极（6）且所述金属电位电极（6）穿越所述隔离沟槽（10），并在金属电位电极（6）上施加第一导电类型纵向隔离层（4）的抬升电压。
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权利要求：
百度查询： 东南大学 一种碳化硅全集成器件及其制备工艺
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