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申请/专利权人：江苏索力德普半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及一种SiC功率器件的立体封装方法，包括如下步骤：准备引线框架、芯片和数条铜带；将SiC芯片贴装在导电平面的端面上，并使得SiC芯片的栅极位于凹槽内，SiC芯片的栅极通过第一铜带引出；SiC芯片的源极通过引出线引出；引线框架的外部设置有接线柱单元，通过第二铜带连接SiC芯片的电极与接线柱单元；通过导热界面材料将散热器连接到导电平面上；通过塑封料包裹引线框架、芯片和接线柱。通过设置引线框架，不仅能够替代DBC基板，避免DBC基板带来的热阻以及DBC与底板连接引入的寄生电感，还能够代替键合线，避免键合线带来的电阻以及杂散电感；同时，引线框架的每个导电平面均设置有单独的冷却装置以实现散热，增加了散热面，提升了器件的散热能力。
主权项：1.一种SiC功率器件的立体封装方法，其特征在于：包括如下步骤：S1.准备引线框架（1）、芯片和数条铜带（2）；所述引线框架（1）包括数个用于贴装芯片的导电平面（102），其中至少一个导电平面（102）的端面上设置有凹槽（103），以及用于引出芯片电极的引出线（101）；引线框架（1）采用立体式结构，引线框架（1）呈L型折弯状，使得导电平面（102）位于不同的平面上；所述芯片包括SiC芯片（3）；所述铜带（2）包括用于引出SiC芯片（3）栅极的第一铜带（201），以及第二铜带（202）；S2.将SiC芯片（3）贴装在导电平面（102）的端面上，并使得SiC芯片（3）的栅极位于凹槽（103）内，SiC芯片（3）的栅极通过第一铜带（201）引出；SiC芯片（3）的源极通过引出线（101）引出；S3.所述引线框架（1）的外部设置有接线柱单元（4），通过第二铜带（202）连接SiC芯片（3）的电极与接线柱单元（4）；S4.通过导热界面材料将散热器连接到导电平面（102）的端面上；S5.通过塑封料包裹引线框架（1）、芯片和接线柱单元（4）。
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权利要求：
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