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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供一种高光效结构的LED芯片及其制备方法，包括提供一外延层，在外延层上沉积绝缘层并制作电子阻挡层图形；在外延层及电子阻挡层上沉积透明导电层；在透明导电层上制作MESA掩膜图形，以MESA掩膜图形对透明导电层进行湿法刻蚀，得到透明导电层图形，再以MESA掩膜图形对外延层进行干法刻蚀，直至刻蚀露出N型半导体，得到第二通孔；依次在透明导电层及第二通孔上制作第一绝缘层、高反射电极层、第二绝缘层和PN电极。本发明中的高光效结构的LED芯片及其制备方法，通过在外延层上开孔式制作第二通孔，避免了在N焊盘底下制作MESA区域，减少了外延层的牺牲，并由N电极与N型半导体区域进行电性连接，提升了芯片光效。
主权项：1.一种高光效结构LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一外延层，所述外延层由下至上依次包括N型半导体、多量子阱发光区和P型半导体，在所述外延层上沉积绝缘层并制作电子阻挡层图形；在所述外延层及所述电子阻挡层上沉积透明导电层；在所述透明导电层上制作MESA掩膜图形，以所述MESA掩膜图形对所述透明导电层进行湿法刻蚀，得到透明导电层图形，再以所述MESA掩膜图形对所述外延层进行干法刻蚀，直至刻蚀露出所述N型半导体，得到第二通孔；依次在所述透明导电层及所述第二通孔上制作第一绝缘层、高反射电极层、第二绝缘层和PN电极，所述PN电极包括P电极和N电极，得到高光效结构LED芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种高光效结构的LED芯片及其制备方法
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