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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本申请涉及一种双信息载体赛道存储器件。所述赛道存储器件由人工反铁磁条带和圆形异质结组成，且圆形异质结生长于条带的一侧；人工反铁磁条带包括：重金属层、底部铁磁层、中间非磁间隔层和顶部铁磁层；圆形异质结包括：圆形非磁间隔层、圆形铁磁层、圆形绝缘层和圆形电极；圆形异质结为赛道存储器件的写入端，在+Z方向的磁化状态下，人工反铁磁条带中圆形异质结的下方会产生人工反铁磁斯格环结构；在圆形异质结上施加电压，人工反铁磁斯格明子环结构会转化为人工反铁磁斯格明子结构；写入端写入不同的信息载体后，在人工反铁磁条带的重金属层通入自旋极化电流，电流产生的自旋轨道矩驱动信息载体输运到条带另一侧的读取端，用于数据读取。
主权项：1.一种双信息载体赛道存储器件，其特征在于，所述赛道存储器件由人工反铁磁条带和圆形异质结组成，且圆形异质结生长于人工反铁磁条带的一侧；人工反铁磁条带从下至上依次包括：重金属层、底部铁磁层、中间非磁间隔层和顶部铁磁层；圆形异质结从下至上依次包括：圆形非磁间隔层、圆形铁磁层、圆形绝缘层和圆形电极；圆形异质结为赛道存储器件的写入端；其中，由于圆形异质结中圆形铁磁层与人工反铁磁条带中顶部铁磁层之间的层间耦合作用，在+Z方向的磁化状态下，人工反铁磁条带中圆形异质结的下方会产生人工反铁磁斯格明子环结构；在圆形异质结上施加电压，根据VCMA效应，人工反铁磁斯格明子环结构会转化为人工反铁磁斯格明子结构；写入端写入不同的信息载体后，在人工反铁磁条带的重金属层通入自旋极化电流，自旋极化电流产生的自旋轨道矩驱动信息载体输运到人工反铁磁条带另一侧的读取端，用于数据读取。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种双信息载体赛道存储器件
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