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申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司
摘要：本发明公开了一种TOPCon双POLO电池的制备方法，属于光伏技术领域，所述方法包括以下步骤：包括S1、生长；S2、扩散；S3、刻蚀；S4、沉积和扩散；S5、去绕镀；S6、图形化；S7、酸洗；S8、后续处理。本发明的方法采用掩膜工艺对P+poly层进行图形化，实现poly图形化的方案，可提升电池效率。本发明在非poly区使用P+poly层腐蚀后保留的内扩区做扩散结，避免了内扩区死层的形成，钝化效果优于常规的硼扩散工艺。本发明的非poly区未经过激光处理，无激光造成损伤，钝化效果更优，可有效提升电池电压。
主权项：1.一种TOPCon双POLO电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、生长：原始硅片制绒后，在绒面上双面生长隧穿氧化层和本征多晶硅层；S2、扩散：在本征多晶硅层上进行硼扩散工艺，形成P+poly层；S3、刻蚀：单面去除背面P+poly层和隧穿氧化层，并形成抛光面；S4、沉积和扩散：在抛光面上沉积隧穿氧化层和本征多晶硅层，并在本征多晶硅层上进行磷扩散工艺，形成N+poly层；S5、去绕镀：去除硅片正面和边缘的绕镀；S6、图形化:采用掩膜工艺对P+poly层进行图形化；S7、酸洗：酸洗去除硅片正面掩膜及隧穿氧化层和背面PSG，形成正面局部POLO结构；S8、后续处理：进行后续处理形成电池片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州时创能源股份有限公司 一种TOPCon双POLO电池的制备方法
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