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申请/专利权人：济源海煜科技有限公司
摘要：本发明公开一步法合成锑化铟单晶的工艺，属于锑化铟单晶的制备领域。该工艺包括以下步骤：将铟粒和锑粒加入反应器中，并使反应器呈卧式布置；通入惰性保护气，控制反应器旋转加热反应，生成锑化铟多晶体；然后将反应器翻转，由卧式变换为立式，先对反应器的锥形部进行加热，使得锥形部处的锑化铟晶体重新成为低粘度的多晶熔体并进入毛细管中，在毛细管中形成单晶；再对反应器的柱形部加热，控制柱形部的加热区域逐步上移，使得加热后的下部多晶熔体重新结晶，并在诱导下形成与毛细管中单晶晶向一致的锑化铟单晶体。本发明不仅提高了锑化铟单晶的合成效率，而且仅使用一个反应器，极大地减少了环境污染，确保了锑化铟单晶的纯度与性能。
主权项：1.一步法合成锑化铟单晶的工艺，其特征在于，采用反应器，该反应器包括柱形部，在柱形部的一端设置有端盖，在柱形部的另一端设置有锥形部，柱形部与锥形部均内部中空，且相互连通，在锥形部的末端连通毛细管；该工艺包括以下步骤：S1、将铟粒和锑粒加入反应器中，并使反应器呈卧式布置；向反应器中通入惰性保护气，控制反应器旋转，并对反应器进行加热；S2、先加热升温至700-750℃，使得铟粒和锑粒完全熔化为液态，保温；随后继续升温至900-950℃，保温反应，生成锑化铟多晶体；S3、使反应器停止旋转，并进行降温，直至反应器中无液态物存在；S4、将反应器翻转90°，由卧式变换为立式，毛细管处于最下方；再对反应器的锥形部进行加热，使得锥形部处的锑化铟晶体重新成为低粘度的多晶熔体；S5、低粘度的多晶熔体进入毛细管中，逐步降低毛细管的温度，在毛细管中形成单晶；S6、对反应器的柱形部且靠近锥形部处进行加热，使得该位置处锑化铟晶体重新成为低粘度的多晶熔体；然后控制柱形部的加热区域逐步上移，在加热区域逐步上移的过程中，下部多晶熔体重新结晶，并在诱导下形成与毛细管中单晶晶向一致的锑化铟单晶体。
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