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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种小中心距焦平面探测器的铟球阵列制造方法，方法的步骤为：1在芯片上涂布光刻胶，并在光刻胶上产生电极孔图形；2依次蒸镀铬、镍、金三层金属；3去除光刻胶，产生金属电极；4沉积介质膜层；5涂布光刻胶，并在光刻胶上产生接触孔图形；6刻蚀去除孔内介质膜，并去除光刻胶；7涂布光刻胶，并在光刻胶上产生铟孔图形；8蒸镀铟金属；9去除光刻胶，产生铟柱阵列；10热回流处理，产生铟球阵列。本发明的优点在于克服了传统金打底层工艺所制作铟柱成球后形貌一致性差的问题，可制作出具有更大占空比的高均匀性、高饱满度铟球阵列，提升焦平面与读出电路倒焊互连的连通率。
主权项：1.一种小中心距焦平面探测器的铟球阵列制造方法，其特征在于包括以下步骤：1在芯片上涂布光刻胶，并在光刻胶上产生电极孔图形；2依次蒸镀铬、镍、金三层金属；铬层厚度为20-100nm，镍层厚度为200-600nm，金层厚度为50-100nm；3去除光刻胶，产生金属电极；4沉积介质膜层，介质膜层是氮化硅或氧化硅，膜厚为100-1000nm；5涂布光刻胶，并在光刻胶上产生接触孔图形；接触孔图形与金属电极对准，接触孔尺寸小于金属电极尺寸，形状为方形、圆形或多边形；6刻蚀去除孔内介质膜，并去除光刻胶；介质膜刻蚀采用等离子体干法刻蚀或氢氟酸溶液湿法腐蚀；7涂布光刻胶，并在光刻胶上产生铟孔图形；铟孔图形与接触电极孔对准，尺寸大于金属电极尺寸，小于焦平面中心距;形状为方形、圆形或多边形；8蒸镀铟金属；蒸镀铟金属的厚度小于步骤7中涂布的光刻胶厚度；9去除光刻胶，产生铟柱阵列；10热回流处理，产生铟球阵列，铟柱热回流工艺气氛为甲酸，工艺温度为200-250度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种小中心距焦平面探测器的铟球阵列制造方法
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