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申请/专利权人：安徽芯塔电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管以及制备该肖特基二极管的方法，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层；漂移区，漂移区位于缓冲层的一侧；第二外延层，第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，重掺杂区位于沟槽的底部；结型场效应区，结型场效应区位于相邻的两个重掺杂区之间；第一金属层，第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触，与第二外延层形成肖特基接触；第一电极和第二电极。由此，通过第一金属层与第二外延层形成肖特基接触，与现有技术相比，能够使肖特基接触处具有更小的电场强度和更低的反偏泄漏电流，同时大的肖特基接触面积可以提升肖特基二极管的正向导通特性，通过第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触能够具有比较好的浪涌和雪崩能力。
主权项：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底的一侧；漂移区，所述漂移区位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；第二外延层，所述第二外延层设于所述漂移区远离所述缓冲层的一侧且所述第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，所述重掺杂区位于所述漂移区内且位于所述沟槽的底部；结型场效应区，所述结型场效应区位于相邻的两个所述重掺杂区之间；第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽侧壁处的所述第二外延层，以及所述沟槽的底部的所述重掺杂区，并与所述重掺杂区处形成欧姆接触，与所述沟槽侧壁处的第二外延层形成肖特基接触；以及第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述衬底的远离所述缓冲层的一侧，所述第二电极位于所述漂移区的远离所述衬底的一侧，所述第二电极在所述肖特基接触和所述欧姆接触的上方且与所述肖特基接触和所述欧姆接触电连接；所述衬底、所述缓冲层、所述漂移区和所述第二外延层具有第一掺杂类型，所述结型场效应区为第一类型结型场效应区；所述重掺杂区具有第二掺杂类型；所述重掺杂区的宽度大于所述沟槽的底部宽度。
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